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  • NTD4808NT4G

NTD4808NT4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 30A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1538pF @ 12V
功率 - 最大1.3W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

“NTD4808NT4G”技术资料

  • NTD4808NT4G的技术参数

    产品型号:ntd4808nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8最大漏极电流id(on)(a):63通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:63a,30v功率mosfet价格/1片(套):¥4.20 来源:xiangxueqin ...

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