| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 30A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 770pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 1.26W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
产品型号:ntd4815nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):15最大漏极电流id(on)(a):35通道极性:n封装/温度(℃):dpak-4/-55~175描述:30v,35a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...
