描述 | MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 8 毫欧 @ 30A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17.5nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1314pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.37W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 |
【ON Semiconductor】NTD4909NA-35G,MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
【ON Semiconductor】NTD4909NAT4G,MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm
【ON Semiconductor】NTD4910N-35G,MOSFET N-CH 30V 37A IPAK TRIMMED
【ON Semiconductor】NTD4913N-1G,MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO
【ON Semiconductor】NTD4913N-35G,MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO