您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > ntd50n03rg
  • NTD50N03RG

NTD50N03RG

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 30A,11.5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 11.5V输入电容 (Ciss) @ Vds750pF @ 12V
功率 - 最大1.5W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装管件

“NTD50N03RG”技术资料

  • NTD50N03RG的技术参数

    产品型号:ntd50n03rg源漏极间雪崩电压vbr(v):25源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):11.700最大漏极电流id(on)(a):45通道极性:n封装/温度(℃):dpak-4/-55~175描述:25v,45a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...

ntd50n03rg的相关型号: