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NTD60N02RT4G

描述MOSFET 25V 62A N-Channel漏极连续电流62 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0084 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体DPAK封装Reel
下降时间33 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)27 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.87 W
上升时间33 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间19 ns

“NTD60N02RT4G”技术资料

  • NTD60N02RT4G的技术参数

    产品型号:ntd60n02rt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):25源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):10.500最大漏极电流id(on)(a):62通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:62a, 25v功率mosfet价格/1片(套):¥3.10 来源:xiangxueqin ...

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