描述 | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 74 毫欧 @ 19A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 71W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 管件 | 其它名称 | NTD6416ANL-1G-NDNTD6416ANL-1GOS |