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  • NTD95N02RT4G

NTD95N02RT4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 24V 12A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)24V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 20V
功率 - 最大1.25W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

“NTD95N02RT4G”技术资料

  • NTD95N02RT4G的技术参数

    产品型号:ntd95n02rt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5最大漏极电流id(on)(a):95通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:95a, 24 v,功率mosfet价格/1片(套):¥5.60 来源:xiangxueqin ...

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