您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > nte4151pt1g
  • NTE4151PT1G

NTE4151PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.081
  • 6000$0.0765
  • 15000$0.06975
  • 30000$0.06525
  • 75000$0.0585
描述MOSFET P-CH 20V 760MA SC-89FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C760mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C360 毫欧 @ 350mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.1nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds156pF @ 5V
功率 - 最大313mW安装类型表面贴装
封装/外壳SC-89,SOT-490供应商设备封装SC-89-3
包装带卷 (TR)其它名称NTE4151PT1GOSTR

“NTE4151PT1G”技术资料

  • NTE4151PT1G的技术参数

    产品型号:nte4151pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):360最大漏极电流id(on)(a):0.760通道极性:p沟道封装/温度(℃):sc-89/-55 ~150描述:-20 v, -760 ma,功率mosfet价格/1片(套):¥1.20 来源:xiangxueqin ...

nte4151pt1g的相关型号: