| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 50 毫欧 @ 6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 8.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTF6P02T3GOSNTF6P02T3GOS-NDNTF6P02T3GOSTR |
产品型号:ntf6p02t3g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):50最大漏极电流id(on)(a):6通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-223/-55 ~150描述:-20 v, -6.0a功率mosfet价格/1片(套):￥3.60 来源:xiangxueqin ...
