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  • NTGS3441PT1G

NTGS3441PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 3A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.6V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds345pF @ 15V
功率 - 最大510mW安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74,SOT-457供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

“NTGS3441PT1G”技术资料

  • NTGS3441PT1G的技术参数

    产品型号:ntgs3441pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):110最大漏极电流id(on)(a):3.160通道极性:p封装/温度(℃):tsop-6/-55~150描述:20v,3.16a,p沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...

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