描述 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | SiCFET(碳化硅) | 漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 15V,18V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 25A,18V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.3V @ 8mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 105 nC @ 18 V | Vgs(最大值) | +22V,-8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1870 pF @ 325 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 187W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-4L |
封装/外壳 | TO-247-4 |