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  • NTHD5904NT1G

NTHD5904NT1G

描述MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel漏极连续电流4.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.055 Ohms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体ChipFET-8封装Reel
下降时间17 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)6 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.13 W
上升时间17 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间17 ns

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