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  • NTHS5441T1

NTHS5441T1

描述MOSFET -20V -5.3A P-Channel漏极连续电流- 5.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.046 Ohms配置Single Hex Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体ChipFET-8封装Reel
下降时间22 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)12 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.3 W
上升时间22 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间42 ns

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