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  • NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.099
  • 6000$0.093
  • 15000$0.087
  • 30000$0.0798
  • 75000$0.0768
描述MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 3.3A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)400mV @ 100?A
闸电荷(Qg) @ Vgs8.6nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 12V
功率 - 最大625mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)其它名称NTJS3151PT1GOSTR

“NTJS3151PT1G”技术资料

  • NTJS3151PT1G的技术参数

    产品型号:ntjs3151pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):12源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60最大漏极电流id(on)(a):3.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150描述:12 v, 3.3 a, 功率mosfet价格/1片(套):¥1.60 来源:xiangxueqin ...

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