您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ntk3142pt1g
  • NTK3142PT1G

NTK3142PT1G

描述MOSFET PFET 20V TR漏极连续电流0.26 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)4 mOhms at 4.5 V配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-723-3封装Reel
下降时间15.3 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散400 mW上升时间15.3 ns
工厂包装数量4000典型关闭延迟时间37.5 ns

“NTK3142PT1G”技术资料

  • NTK3142PT1G的技术参数

    产品型号:ntk3142pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):-20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):2.7@-4.5v最大漏极电流id(on)(a):-0.280通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-723/-55~150描述:-0.28a, -20v,esd保护功率mosfet价格/1片(套):¥.94 来源:xiangxueqin ...

“NTK3142PT1G”电路图

ntk3142pt1g的相关型号: