您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > ntljs1102ptbg
  • NTLJS1102PTBG

NTLJS1102PTBG

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFNFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C36 毫欧 @ 6.2A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)720mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1585pF @ 4V
功率 - 最大700mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装6-WDFN(2x2)
包装带卷 (TR)

ntljs1102ptbg的相关型号: