您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > ntlud3191pztbg
  • NTLUD3191PZTBG

NTLUD3191PZTBG

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFNFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫欧 @ 1.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nc @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds160pF @ 10V
功率 - 最大500mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-UFDFN 裸露焊盘供应商设备封装6-UDFN(1.6x1.6)
包装带卷 (TR)

ntlud3191pztbg的相关型号: