| 描述 | MOSFET 20V 6A P-Channel | 漏极连续电流 | - 7.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.027 Ohms | 配置 | Dual Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 80 ns, 50 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 15 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2 W |
| 上升时间 | 65 ns, 20 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns, 85 ns |
