| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8PQFN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA，3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 24nC @ 10V，55nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1715pF @ 15V，3825pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1W（Ta），23W（Tc），1.1W（Ta），25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
