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  • NTMFS4701NT1G

NTMFS4701NT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FLFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1280pF @ 24V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)供应商设备封装6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装带卷 (TR)

“NTMFS4701NT1G”技术资料

  • NTMFS4701NT1G的技术参数

    产品型号:ntmfs4701nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6.0@10v最大漏极电流id(on)(a):20通道极性:n沟道封装/温度(℃):so-8fl/-55 ~150描述:30 v, 20 a功率mosfet价格/1片(套):¥6.80 来源:xiangxueqin ...

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