描述 | MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 8 毫欧 @ 20A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1280pF @ 24V |
功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) | 供应商设备封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
包装 | 带卷 (TR) |
产品型号:ntmfs4701nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6.0@10v最大漏极电流id(on)(a):20通道极性:n沟道封装/温度(℃):so-8fl/-55 ~150描述:30 v, 20 a功率mosfet价格/1片(套):¥6.80 来源:xiangxueqin ...