| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10.6 毫欧 @ 30A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 795pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 860mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） | 供应商设备封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NTMFS4825NFET1G,MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL
【ON Semiconductor】NTMFS4825NFET3G,MOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM
【ON Semiconductor】NTMFS4826NET1G,MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM
【ON Semiconductor】NTMFS4826NET3G,MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM
【ON Semiconductor】NTMFS4827NET1G,MOSFET NFETFL 30V 58.5A 6.9mOHM
【ON Semiconductor】NTMFS4827NET3G,MOSFET NFETFL 30V 58.5A 6.9mOHM
