| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2 毫欧 @ 30A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 88nC @ 11.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5600pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 910mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） | 供应商设备封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTMFS4833NT1G-NDNTMFS4833NT1GOSTR |
产品型号:ntmfs4833nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):2最大漏极电流id(on)(a):191通道极性:n封装/温度(℃):so-8fl/-55~150描述:30v,191a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...
