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  • NTMFS4841NHT3G

NTMFS4841NHT3G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FLFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 30A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs16.7nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds2113pF @ 12V
功率 - 最大870mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)供应商设备封装6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装带卷 (TR)

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