| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.8 毫欧 @ 30A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 43nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3044pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 920mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） | 供应商设备封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NTMFS4936NT1G,MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4936NT3G,MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4937NCT1G,MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
【ON Semiconductor】NTMFS4937NT1G,MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4937NT3G,MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL