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  • NTMS4107NR2G

NTMS4107NR2G

描述MOSFET NFET 19A 30V 3.4MOHM漏极连续电流18 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0055 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间38 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)25 S
最小工作温度- 55 C功率耗散16.7 W
上升时间10 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间94 ns

“NTMS4107NR2G”技术资料

  • NTMS4107NR2G的技术参数

    产品型号:ntms4107nr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.400最大漏极电流id(on)(a):1.800通道极性:n沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:30 v, 18 a功率mosfet价格/1片(套):¥8.60 来源:xiangxueqin ...

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