描述 | MOSFET NFET 19A 30V 3.4MOHM | 漏极连续电流 | 18 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.0055 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
下降时间 | 38 ns | 正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 25 S |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 16.7 W |
上升时间 | 10 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 94 ns |
产品型号:ntms4107nr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.400最大漏极电流id(on)(a):1.800通道极性:n沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:30 v, 18 a功率mosfet价格/1片(套):¥8.60 来源:xiangxueqin ...