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  • NTMS4704NR2G

NTMS4704NR2G

描述MOSFET 30V 12.3A N-Channel漏极连续电流12.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.01 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SO-8封装Reel
下降时间5.4 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)20 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.6 W
上升时间5.4 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间28.4 ns

“NTMS4704NR2G”技术资料

  • NTMS4704NR2G的技术参数

    产品型号:ntms4704nr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):9.500最大漏极电流id(on)(a):12.300通道极性:n沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:30 v, 12.3 a, 功率mosfet价格/1片(套):¥4.50 来源:xiangxueqin ...

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