| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.95A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 33 毫欧 @ 5.4A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.25V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 35nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1900pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 790mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTMS5P02R2GOSNTMS5P02R2GOS-NDNTMS5P02R2GOSTR |
产品型号:ntms5p02r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):33最大漏极电流id(on)(a):5.400通道极性:p沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:-20 v, -5.4 a, 功率mosfet价格/1片(套):￥3.80 来源:xiangxueqin ...
