| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | FET 特点 | 二极管（隔离式） |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 3.05A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 730mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTMSD3P102R2GOS |
产品型号:ntmsd3p102r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85最大漏极电流id(on)(a):3通道极性:p沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:增强型功率mosfet集成肖特基二极管价格/1片(套):￥3.70 来源:xiangxueqin ...
