| 描述 | MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Ta），267A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 毫欧 @ 90A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 650μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 106 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7630 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 5.1W（Ta），291W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装，可润湿侧翼 | 供应商器件封装 | 8-TDFNW（8.3x8.4） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
