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  • NTP30N20G

NTP30N20G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 30A TO220ABFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C81 毫欧 @ 15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2335pF @ 25V
功率 - 最大214W安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB
包装管件其它名称NTP30N20GOS

“NTP30N20G”技术资料

  • NTP30N20G的技术参数

    产品型号:ntp30n20g源漏极间雪崩电压vbr(v):200源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):81最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220/-55 ~150描述:30 a, 200 v功率mosfet价格/1片(套):¥17.00 来源:xiangxueqin ...

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