描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 22 毫欧 @ 7A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 630pF @ 16V |
功率 - 最大 | 1.39W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTQD6968NR2GOS |
产品型号:ntqd6968nr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):22最大漏极电流id(on)(a):7通道极性:n沟道封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150描述:7.0 a, 20 v双功率mosfet价格/1片(套):¥4.40 来源:xiangxueqin ...