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  • NTQD6968NR2G

NTQD6968NR2G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 7A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds630pF @ 16V
功率 - 最大1.39W安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商设备封装8-TSSOP
包装带卷 (TR)其它名称NTQD6968NR2GOS

“NTQD6968NR2G”技术资料

  • NTQD6968NR2G的技术参数

    产品型号:ntqd6968nr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):22最大漏极电流id(on)(a):7通道极性:n沟道封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150描述:7.0 a, 20 v双功率mosfet价格/1片(套):¥4.40 来源:xiangxueqin ...

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