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  • NTR3162PT1G

NTR3162PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 2.2A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs10.3nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds940pF @ 10V
功率 - 最大480mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)

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