| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 1.6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 675pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 420mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTR4101PT1GOSTR |
产品型号:ntr4101pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8.500最大漏极电流id(on)(a):3.200通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150描述:-20 v, -3.2 a,双功率mosfet价格/1片(套):￥1.30 来源:xiangxueqin ...
