描述 | MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.13A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 200 毫欧 @ 1.95A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 200pF @ 15V |
功率 - 最大 | 400mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTR4502PT1GOSTR |
产品型号:ntr4502pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):200最大漏极电流id(on)(a):1.950通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150描述:-30v, -1.95 a,双功率mosfet价格/1片(套):¥1.30 来源:xiangxueqin ...