| 描述 | MV5_100V_N_P_IN DUALS AND | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Ta），9.5A（Tc），2.2A（Ta），5A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 1.3A，10V，186 毫欧 @ 2.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 24μA，4V @ 40μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5.6nC @ 10V，7.3nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 252pF @ 50V，256pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 1.9W（Ta），14W（Tc），1.9W（Ta），10W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3x3） |
