描述 | MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 17A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 6.4 毫欧 @ 20A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1570pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.7W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTTFS5811NLTAG-NDNTTFS5811NLTAGOSTR |