| 描述 | MOSFET -30V -2.48A P-Channel | 漏极连续电流 | - 2.48 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.085 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | Micro-8 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 40 ns, 20 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 3.1 S |
| 栅极电荷 Qg | 3.2 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 0.78 W | 上升时间 | 40 ns, 20 ns |
| 工厂包装数量 | 4000 | 典型关闭延迟时间 | 30 ns, 40 ns |
产品型号:ntts2p03r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):135最大漏极电流id(on)(a):2.480通道极性:p沟道封装/温度(℃):micro8/-55 ~150描述:-2.48 a, -30 v功率mosfet价格/1片(套):￥3.50 来源:xiangxueqin ...
