描述 | MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 540mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 150pF @ 16V |
功率 - 最大 | 250mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商设备封装 | SOT-563 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTZD3154NT1GOSTR |
产品型号:ntzd3154nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):550最大漏极电流id(on)(a):0.570通道极性:n沟道封装/温度(℃):6sot-563/-55~150描述:20 v, 570 ma功率mosfet带esd保护价格/1片(套):¥1.70 来源:xiangxueqin ...