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  • NTZD3154NT1G

NTZD3154NT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.08658
  • 8000$0.08177
  • 12000$0.07456
  • 28000$0.06975
  • 100000$0.06157
描述MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C550 毫欧 @ 540mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds150pF @ 16V
功率 - 最大250mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)其它名称NTZD3154NT1GOSTR

“NTZD3154NT1G”技术资料

  • NTZD3154NT1G的技术参数

    产品型号:ntzd3154nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):550最大漏极电流id(on)(a):0.570通道极性:n沟道封装/温度(℃):6sot-563/-55~150描述:20 v, 570 ma功率mosfet带esd保护价格/1片(套):¥1.70 来源:xiangxueqin ...

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