| 描述 | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 860mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 458pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 170mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTZS3151PT1GOSTR |
产品型号:ntzs3151pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):150最大漏极电流id(on)(a):0.950通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-563/-55 ~150描述:-20 v, -950 ma 双功率mosfet带esd保护价格/1片(套):￥1.85 来源:xiangxueqin ...
