| 描述 | IC TVS DIODE ARRAY HS 500W 8SOIC | 电压 - 击穿 | 6V |
|---|---|---|---|
| 功率（瓦特） | 500W | 电极标记 | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | NUP4201DR2OSCT |
usb应用中将会过时或者无效。 了解usb元件的esd防护本质，有助于明确针对usb应用的半导体器件所必需的特性： 1. 低电容(<5pf)，以减少高速速率下(480mbps, usb 2.0)的信号衰减。 2. 快速工作响应时间(纳秒)，可以在esd脉冲的快速上升时间内保护usb元件。 3. 低漏电电流，以减少正常工作下的功率能耗。 4. 稳固耐用，在反复性的esd情况下仍然完好无损。 5. 集成度高，封装面积小。 全新低电容瞬态抑制二极管阵列(nup4201dr2器件)可用于usb 2.0或者usb 1.1元件的esd防护，因此本文详细描述了它的使用方式与前景。 来源:三面夏娃 ...
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