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NUS5531MTR2G

制造商：ON Semiconductor(ON Semiconductor,ON Semiconductor)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：12 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V

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数量单价
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产品属性关于ON Semiconductor(ON Semiconductor,ON Semiconductor)

描述	MOSFET 12V PFET W 20V PNP	漏极连续电流	5.47 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	32 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	WDFN-6	封装	Reel
下降时间	17.5 ns	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	5.9 S
栅极电荷 Qg	13 nC	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1460 mW	上升时间	17.5 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	80 ns

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