| 描述 | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 29A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 85nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 4.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NVD5117PLT4GOSTR |
