| 描述 | NX1029X/SOT666/SOT6 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 330mA（Ta），170mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6欧姆 @ 500mA，10V，7.5欧姆 @ 100mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 600pC @ 4.5V，350pC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V，36pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 330mW（Ta），1.09W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
【NXP Semiconductors】NX1117C120Z,115,IC REG LDO 12V 1A SOT223-4
【NXP Semiconductors】NX1117C12Z,115,IC REG LDO 1.2V 1A SOT-223
【NXP Semiconductors】NX1117C15Z,115,IC REG LDO 1.5V 1A SOT-223
【NXP Semiconductors】NX1117C18Z,115,IC REG LDO 1.8V 1A SOT-223
【NXP Semiconductors】NX1117C19Z,115,IC REG LDO 1.9V 1A SOT-223
【NXP Semiconductors】NX1117C25Z,115,IC REG LDO 2.5V 1A SOT-223
【NXP Semiconductors】NX1117C285Z,115,IC REG LDO 2.85V 1A SOT-223
