| 描述 | MOSFET N/P-CH 60/50V 170MA TSSOP | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V，50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 17pF @ 10V，36pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 330mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
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