| 描述 | PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20M | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 4 N 沟道（半桥） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 51A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 50A，20V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.3V @ 20mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 213.5nC @ 20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2420pF @ 800V |
| 功率 - 最大值 | 119W（Tj） | 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | 22-PIM（33.8x42.5） |
