| 描述 | Q1PACK 75A 650V | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|---|---|
| 配置 | 半桥 | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 59 A | 功率 - 最大值 | 86 W |
| 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 5.5μs，10μs | 电流 - 集电极截止（最大值） | 300 μA |
| 不同?Vce 时输入电容 (Cies) | 5.665 nF @ 30 V | 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 是 | 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | 56-PIM（93x47） |
