| 描述 | TRANSISTOR NPN GP 80V SOT-223 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1.2A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 350mV @ 10mA，250mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 250mA，1V |
| 功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】NZT6717_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】NZT6726,TRANSISTOR PNP GP 30V SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NZT6726_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】NZT6727,TRANSISTOR PNP GP 40V SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NZT6727_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】NZT6728,TRANSISTOR PNP GP 60V SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NZT6728_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】NZT6729,TRANSISTOR PNP GP 80V SOT-223