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NZT6729_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min80 at 50 mA at 1 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-223
封装Reel最小工作温度- 55 C
功率耗散1 W

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