P6KE200A

，进一步提高电源效率。多路输出的开关电源设计由top247y构成的多路开关电源原理图见图2，其中输出三路200ma、15v的直流电，一路400ma、15v的直流电，以及1a、5v的直流电。多路电源用高频变压器获得多组电压输出，经快速恢复二极管、电容滤波后得到多路直流电源。当电源输入交流85～265v时，交流电压u依次经过电磁干扰(emi)滤波器(c1，l1)、输入整流滤波器(kbl406g，c2)获得直流高压ui。ui经过r1接l端，能使极限电流随ui升高而降低。它使用c3，vd型漏极钳位二极管p6ke200a和阻断二极管d1，以替代价格较高的tvs(瞬态电压抑制器)，用于吸收在top247y关断时由高频变压器漏感产生的尖峰电压，对漏极起到保护作用。次级电压经过整流、滤波后获得多路输出。其中15v电源输出所用的是快速恢复二极管，其他输出用的二极管是肖特基二极管，其目的是减少整流管的损耗。 该电源采用3枚芯片，包括top247y(u1)、光耦合器ltv817a，以及可调式精密并联稳压管lm431。为减小高频变压器体积和增强磁场耦合程度，次级绕组采用了堆叠式绕法。其稳压原理为，u=ur4+uz+ul ...

率开关管； 6）启动电路； 7）欠压锁定电路； 8）过热保护电路； 9）状态控制器。 由mc33374t／tv构成的15v／3.5a、52w开关电源的电路如图3所示。其交流输入电压u的允许变化范围是92v～276v vd1～vd4为整流桥。初级保护电路由rc吸收电路（r2、c2）和钳位保护电路（vdz、vd5）构成，能有效抑制高频变压器漏感产生的尖 峰 电 压 ， 保 护mc33374内 部 的 功 率 开 关 管 不 受 损 坏 。vdz采 用 p6ke200a型 瞬 态 电 压 抑 制 器 （ tvs） ， 图 中 阻 容 元 件r1、c3的 序 号 空 缺 ， 根 据 需 要 亦 可 将r2、c2的 串 联 电 路 ， 改 成 由r1(20 kω 、 2 w)和c3（ 0.1 μ f、 400 v） 并 联 后 再 串 以 超 快 恢 复 二 极 管 ， 组 成r、c、vd型 保 护 电 路 。c5为ucc端 的 旁 路 电 容 。 sb为 控 制 开 关 电 源 通 、 断 状 态 的 按 键 。vd6与c6组 成 反 馈 绕 组 输 出 端 的 ...

3个绕组分别为：np原边绕组（65匝）；ns副边绕组（即输出绕组，13匝）；nf反馈绕组（8匝）；各绕组同名端在图2中已标出。变压器中能量传递过程为：当topswitch中的功率mosfet导通时，变压器原边绕组储存能量；当功率mosfet关断时，原边绕组中储存的能量传递给副边绕组和反馈绕组，经高频整流滤波后即可提供直流输出电压和反馈电压。图3、4、5 dz1，d1和r1，c2组成了漏极箝位电路和能量吸收回路，用以限制topswitch漏极因高频变压器的漏感而可能产生的尖峰电压。dz1选用p6ke200a型瞬态电压抑制器（tvs），其反向击穿电压为200v。d1选用mur160型超快恢复二极管，其最大反向耐压值为600v。由于topswitch的漏—源极最小击穿电压为700v，而当其功率mosfet关断时，变压器原边的直流输入电压、原边绕组的感应电压以及由变压器的漏感而产生的尖峰电压，三者叠加在一起，其值可能超过700v，故必须在topswitch的漏极增加箝位电路和吸收电路，用以保护功率mosfet不被损坏。c3为topswitch控制端的旁路电容，其作用是对控制电路进行补偿，并能设定自动重启 ...

，进一步提高电源效率。多路输出的开关电源设计由top247y构成的多路开关电源原理图见图2，其中输出三路200ma、15v的直流电，一路400ma、15v的直流电，以及1a、5v的直流电。多路电源用高频变压器获得多组电压输出，经快速恢复二极管、电容滤波后得到多路直流电源。当电源输入交流85～265v时，交流电压u依次经过电磁干扰(emi)滤波器(c1，l1)、输入整流滤波器(kbl406g，c2)获得直流高压ui。ui经过r1接l端，能使极限电流随ui升高而降低。它使用c3，vd型漏极钳位二极管p6ke200a和阻断二极管d1，以替代价格较高的tvs(瞬态电压抑制器)，用于吸收在top247y关断时由高频变压器漏感产生的尖峰电压，对漏极起到保护作用。次级电压经过整流、滤波后获得多路输出。其中15v电源输出所用的是快速恢复二极管，其他输出用的二极管是肖特基二极管，其目的是减少整流管的损耗。 该电源采用3枚芯片，包括top247y(u1)、光耦合器ltv817a，以及可调式精密并联稳压管lm431。为减小高频变压器体积和增强磁场耦合程度，次级绕组采用了堆叠式绕法。其稳压原理为，u=ur4+uz+ul ...

器t2的初级绕组上会产生尖峰电压和反射电压，其中尖峰电压是由于高频变压器存在漏感而形成，直流高压和反射电压叠加后很容易损坏mosfet管。因此，必须设计箝位保护电路，对尖峰电压进行箝位和吸收。 图2中vd1和vd2构成的箝位电路可防止高压对top256y的损坏，vd1与vd2的选择由反射电压vor决定。vor一般取135 v，vd1箝位电压 vclo可取1.5倍vor，vd2的耐压值应大于最大直流输入电压vdcmax。 本设计中vd1采用反向击穿电压为200 v的tvs（瞬态电压抑制器）p6ke200a，vd2采用反向耐压为600 v的超快恢复二极管fr107。 2.4 欠压过压保护电路设计 通过在v引脚与直流电压间连接一个4 mω的阻抗来实现线电压检测。如果直流输入电压升至400 v以上，在电压恢复正常值前top256y将停止工作，以防止器件的损坏。如果直流输入电压低于100 v, 在输入电压达到欠压阈值前top256y保持关断；在断电时，防止它在输出失调后自动重启动。 2.5 外部流限保护电路 电阻r1、r2和r3用来限制输出功率，这样可以在输入电压波动时维持相对恒定的过载 ...

相关元件pdf下载：mc33374 mbr20100ct 由mc33374t／tv构成的15v／3.5a 52w开关电源的电路如图所示。其交流输入电压u的允许变化范围为92～276v。整流桥vd1～vd4采用4只1n5406型3a／600v的硅整流管。初级保护电路由rc吸收电路(r2、c2)和钳位电路(vdz、vd5)构成，能有效地抑制因高频变压器存在漏感而产生的尖峰电压，保护mc33374内部的功率开关管不受损坏。vdz采用p6ke200a型瞬变电压抑制二极管(tvs)，其反向击穿电压ub=200v。vd5选用的是murl60型超快恢复二极管(srd)。注意，该图中阻容元器件r1、c3的序号空缺，根据需要亦可将r2、c2的串联电路改成由r1(20kω、2w)和c3(0.1μf、400v)并联后再串以超快恢复二极管后，组成r、c、vd型保护电路。 c5为vcc端的旁路电容。s为控制开关稳压电源通、断状态的按键。s上串接r7后，能提高模式转换的可靠性。vd6与c6组成反馈线圈输出端的高频整流滤波器。次级高频整流管采用大电流、低压降的肖特基二极管，型号为mbr20100c ...

由mc33374t／tv构成的15v／3.5a 52w开关电源的电路如图所示。其交流输入电压u的允许变化范围为92～276v。整流桥vd1～vd4采用4只1n5406型3a／600v的硅整流管。初级保护电路由rc吸收电路(r2、c2)和钳位电路(vdz、vd5)构成，能有效地抑制因高频变压器存在漏感而产生的尖峰电压，保护mc33374内部的功率开关管不受损坏。vdz采用p6ke200a型瞬变电压抑制二极管(tvs)，其反向击穿电压ub=200v。vd5选用的是murl60型超快恢复二极管(srd)。注意，该图中阻容元器件r1、c3的序号空缺，根据需要亦可将r2、c2的串联电路改成由r1(20kω、2w)和c3(0.1μf、400v)并联后再串以超快恢复二极管后，组成r、c、vd型保护电路。 c5为vcc端的旁路电容。s为控制开关稳压电源通、断状态的按键。s上串接r7后，能提高模式转换的可靠性。vd6与c6组成反馈线圈输出端的高频整流滤波器。次级高频整流管采用大电流、低压降的肖特基二极管，型号为mbr20100ct(20a／100v)。此管属于共阴对管，两个负极(阴极)在内部短接，使用时需将两 ...

p6ke200a的正负极？（瞬态吸收）二极管的正负极？公司外配一批元器件，其中p6ke200a瞬态吸收二极管上除了写了个“p6ke200a”和一个可能是厂商标志的符号外，并没有二极管表示极性的白环？？？那正负极怎么区分的？是我孤陋寡闻？还是这个厂家没有按照规范做事？？？ ...

p6ke200a是必须要用的,整流的管子只要参数相近都可以替换不知道你的原因是什么,可否说清楚一点? ...