描述 | PBRN113ZT-Q/SOT23/TO-236AB | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600 mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40 V |
电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 500 @ 600mA,5V | 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | 1.15V @ 8mA,800mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | - |
功率 - 最大值 | 250 mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
【NXP Semiconductors】PBRN123EK,115,TRANS NPN W/RES 40V SC-59A
【NXP Semiconductors】PBRN123ES AMO,Transistors Switching (Resistor Biased) BISS RETS
【NXP Semiconductors】PBRN123ET T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) BISS RETS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBRN123YK,115,TRANS NPN W/RES 40V SC-59A
【NXP Semiconductors】PBRN123YS AMO,Transistors Switching (Resistor Biased) BISS RETS